دیتاشیت NSVBCH807-40LT1G
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | NSVBCH807-40LT1G |
---|---|
حجم فایل | 75.044 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 11 |
دانلود دیتاشیت NSVBCH807-40LT1G |
NSVBCH807-40LT1G Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet: onsemi NSVBCH807-40LT1G
- Transistor Type: PNP
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic): 500mA
- Power Dissipation (Pd): 225mW
- Transition Frequency (fT): 100MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 250@100mA,1V
- Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 700mV@500mA,50mA
- Package: SOT-23(TO-236)
- Manufacturer: onsemi